1、Mg的第一電離能為736KJ/mol；Al的第一電離能為577KJ/mol。
2、Al＜MgN的第一電離能為1400KJ/mol；O的第一電離能為1310KJ/mol。
3、O＜N事實(shí)上不光如此：Be的第一電離能為900KJ/mol；B的第一電離能為799KJ/mol。
(相關(guān)資料圖)
4、B＜BeP的第一電離能為1060KJ/mol；S的第一電離能為1000KJ/mol；S＜P可見，這不是單獨(dú)的現(xiàn)象，這是ⅡA族和ⅢA族以及ⅤA族和ⅥA族之間的共存的性質(zhì)。
5、為什么會(huì)這樣呢？這得從電子構(gòu)型講起。
6、不知道你曉得電子亞層軌道不？比如說第二層軌道就分有兩種軌道，一個(gè)是圓形的s軌道，還有一個(gè)是無柄啞鈴形的p軌道。
7、你查周期表就能看到：ⅤA族元素外層電子都是ns2 np3的構(gòu)型，ⅥA族則是ns2 np4的構(gòu)型。
8、在這里，得說一下，軌道以半滿和全滿狀態(tài)為穩(wěn)定狀態(tài)。
9、p軌道的角量子數(shù)是1，磁量子數(shù)是-1，0，1，也就是說p軌道是有3個(gè)方向的，即x、y、z。
10、所以，p軌道上一共能容納6個(gè)電子，每一個(gè)p軌道上能容納2個(gè)自旋相反的電子。
11、而電子進(jìn)駐原子軌道，比如說氧，2p3個(gè)軌道上，電子進(jìn)駐順序是x，y，z，x。
12、也就是前面進(jìn)入的3個(gè)電子是分開獨(dú)立占據(jù)1個(gè)軌道，第4個(gè)電子反向進(jìn)入x軌道。
13、這也就是為什么半滿和全滿最穩(wěn)定的原因。
14、你看N族元素，p軌道是半滿，是比較穩(wěn)定的。
15、（所以空氣中氮?dú)夂孔疃啵@就是常溫下氮?dú)饣瘜W(xué)性質(zhì)極不活潑的原因。
16、）要想把其中一個(gè)p電子電離出來，自然要比電離O的要難得多，因?yàn)镺是4個(gè)電子，其中有一個(gè)相當(dāng)于是被迫逼進(jìn)px軌道的，要想把它電離出來自然要比電離N的半滿結(jié)構(gòu)的p電子容易得多。
17、同理，Mg是3s軌道全滿，Al卻多一個(gè)p電子，這個(gè)電子在p軌道里沒有半滿，所以也很容易電離。
18、簡(jiǎn)單的說，就是在ⅡA族和ⅢA族以及ⅤA族和ⅥA族之間都存在一個(gè)亞層軌道的能量間距，要電離，給的能量要加上這個(gè)亞層軌道的能級(jí)差。
19、正是因?yàn)檫@個(gè)能級(jí)差才導(dǎo)致了你說的這種情況的發(fā)生。
本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。
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